Техническая документация литература

 


Билеты
Производственная система
Бережливое производство
Электротехнические материалы
Силовые кабели
Силовые полупроводниковые приборы
Выключатели переключатели
Рубильники и пускатели
Реле
Датчики
Трансформаторы
Пусконаладочные работы
Ремонт бытовых электроприборов
Асинхронные двигатели
Автоматизация производства
Телефонные станции
Справочник по радиоэлектронике
Ремонт телевизоров
Ремонт устройств РЗиА
Электробезопасность 5 группа
Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников
  Карта сайта

 
Химико-динамическое полирование подложек из кремния и германия

Для химико-динамического полирования подложек из кремния и германия используют составы травителей на основе азотной, фтористоводородной и уксусной кислот. Принципиально новых составов и растворов для химического травления 51 и Ое практически не появилось.
Для ХДП 51 чаще всего применяют травители на основном НЫОз—НР—СНзСООН с молярным отношением [НЖ)3] : [НР]^ ^3, в которых обеспечивается полирующий режим травления. Со ставы травителей и режимы ХДП для 51 даны в табл. 3.3. Некоторые результаты исследования процесса ХДП 31 в ряде травителей представлены на рис. 3.1, 3.2. Из рисунков видно, что скорость ХДП уменьшается с увеличением содержания НХОз в травителе. Относительное сглаживание неровностей поверхности подложек 51 (отношение высоты неровностей после ХДП к высоте неровностей на исходной поверхности) достаточно велико (больше 95%) и возрастаете увеличением концентрации НЬЮз. Эффективность процесса ХДП (т. е. отношение высоты сглаживаемых неровностей поверхности к толщине удаляемого слоя с подложки) также высока, что является значительным преимуществом данного метода обработки по сравнению, например, с электрохимическим или газовым травлением. Для получения гладкой и совершенной поверхности подложек 51, предварительно обработанных ХЛАП суспензией аэросила в этилендиамине, химическим полированием необходимо снимать слой не менее 15—20 мкм. Применение других составов травителей из указанной системы кислот для целей ХДП 51 нецелесообразно.
Химическое травление поверхности подложек из Ое возможно в более широком диапазоне составов растворов, чем кремния. Однако, несмотря ма большое количество травителей, в которых германий достаточно легко растворяется, выбор полирующих составов травителей для него ограничен (см. табл. 3.3). Это объясняется тем, что германий сравнительно легко окисляется в щелочных растворах, но последующее растворение окисной поверхностной пленки как многочисленными химическими реакциями перехода одной формы окисления германия в другие, так и различной растворимостью его окисных соединений, что и приводит часто к пассивированию поверхности.
Практически химическое полирование пластин германия проводят в традиционной системе кислот НГЮ3—НР—СН3СООН. Полирующими травителями при комнатной температуре являются составы с молярным соотношением [Н1\О3]:[НР]5 [33]. Удовлетворительные результаты дают также перекисно-щелочные растворы.


Меню раздела


Требования к полупроводниковым материалам
Требования к полупроводниковым подложкам
Методы контроля ориентации, качества поверхности подложек
Методы контроля и исследования содержания остаточных загрязнений
Основные технологические процессы физико-химической обработки
Классификация методов химической обработки поверхности полупроводников
Краткие сведения о процессах растворения и химического полирования проводников
Предельная плотность диффузионного потока
Теория конвективной диффузии
Основные параметры, определяющие эффективность ХДП и качество поверхности подложек
Влияние химического состава, электрофизических свойств
Химический состав травителя и способ его приготовления
Химическое травление полупроводниковых соединений
Влияние предшествующей обработки подложек полупроводников
Технологические условия и устройства для химико-динамического полирования
Состояние поверхности подложки после химического полирования
Химико-механическое полирование полупроводниковых подложек
Химико-механическое полирование кремния и германия
Химико-механическое полирование полупроводниковых соединений типа АШВУ
Химико-динамическое полирование подложек из кремния и германия
Химико-динамическое полирование полупроводниковых подложек соединений типа АШВУ
Химическое травление легированного арсенида
Процесс химического полирования подложек
Совмещенная технология обработки поверхности полупроводников
Межоперационная очистка подложек
Финишная очистка подложек и соединений типа ЛШВУ
Ионно-плазменные процессы финишной очистки
Плазмохимическое травление поверхности полупроводников
Влияние качества обработки поверхности подложек
Краткие сведения об анодных процессах на полупроводниках
Анодное окисление полупроводников
Особенности анодных процессов на полупроводниках при периодическом токе
Анизотропное травление
Получение микрорельефа локальным травлением
Составы анизотропных травителей
Получение тонких пластинок и мембран
Фотохимическое травление
Выявление р-л-переходов и границ в эпитаксиальных структурах
Выявление дислокаций
 

© 2011 Разработано специально для texnlit.ru, все права защищены.
Копирование материалов сайта разрешается только с указанием прямой индексируемой ссылки на источник.