Техническая документация литература

 


Билеты
Производственная система
Бережливое производство
Электротехнические материалы
Силовые кабели
Силовые полупроводниковые приборы
Выключатели переключатели
Рубильники и пускатели
Реле
Датчики
Трансформаторы
Пусконаладочные работы
Ремонт бытовых электроприборов
Асинхронные двигатели
Автоматизация производства
Телефонные станции
Справочник по радиоэлектронике
Ремонт телевизоров
Ремонт устройств РЗиА
Электробезопасность 5 группа
Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников
  Карта сайта

 
Выявление дислокаций

Для выявления структурных дефектов в полупроводниках используют селективное травление. Метод позволяет обнаруживать дислокации, дефекты упаковки, двойники, точечные дефекты, включения второй фазы.
Составы травителей, выявляющих дислокации, подбирают в основном эмпирически. Для повышения избирательности действия травителя в его состав вводят поверхностно-активные вещества. Эти вещества уменьшают скорость травления без-дно-локационных участков, увеличивая тем самым различие в скорости травления вдоль дислокации и без-дислокационной области. Например, травитель НМ03: НР: СН3СООН (2:1:1) выявляет дислокации на плоскости {111}А 1п5Ь, но не выявляет их на плоскости {111} В. Насыщение травителя стеариновой кислотой приводит к появлению дислокационных ямок травления и на плоскости {111}В.
Как видно из таблицы, дислокации на плоскостях {111}Ое и 51 и на плоскости {111}А полупроводниковых соединений АШВУ выявляются во всех приведенных травителях. Труднее выявлять дислокации на плоскостях других ориентаций. Для выявления дислокаций на 51 в основном используют травители № 3—5 и их модификации. Травитель Дэша выявляет дислокации независимо от ориентации пластины, ио широкому его применению препятствует длительность процесса травления. Травитель № 4 более быстрый, однако не все бугорки травления, образующиеся на плоскости {100}, соответствуют дислокациям. Уменьшение концентрации ионов хрома и повышение концентрации плавиковой кислоты в травителе приводит к образованию дислокационных ямок и на плоскости {100}. Травитель Секко выявляет дислокации на всех плоскостях, но требует перемешивания раствора ультразвуком.
Для выявления дислокаций на плоскости {111} В ОаА3 наиболее пригодны йодные травители. В уксуснокислом растворе йода за время выявления дислокаций величина съема ОаА3 составляет 0,5—0,7 мкм, в травителе № 9 — менее 0,1 мкм, в травителе КС-1 величина съема составляет 10—15 мин, а в травителе АВ — 30—50 мкм.
При выявлении дислокаций на пластинах, используемых в качестве подложки, величина съема материала за время выявления дислокаций не лимитируется. Для выявления дислокаций в тонких диффузионных слоях или эпитаксиальных пленках, а также при послойном выявлении дислокаций необходимо, чтобы величина съема материала была минимальной.
Для плоскости наименьшая величина съема за время выявления дислокаций получается в расплаве щелочи. При оптимальной температуре травления 623К скорость травления равна 0,15 мкм/мин. Величина съема за время выявления дислокаций составляет около 0,6 мкм. Это позволяет использовать расплав КОН для выявления дислокаций в тонких слоях.
Для выявления дислокаций в твердых растворах полупроводниковых соединений А,ИВУ обычно используют те же или близкие к ним составы, что и для отдельных соединений.
При разработке новых травителей для доказательства соответствия ямок (или бугорков) травления выходам линий дислокаций на поверхность используют несколько способов:
многократное травление фиксированного участка (после повторного травления число ямок не должно увеличиваться);
сопоставление фигур травления на плоскости спайности (картина расположения ямок травления на одной половине скола должна быть зеркальным отражением ямок на другой половине скола);
сравнение с известным травителем, выявляющим дислокации, при последовательном травлении фиксированного участка в новом и известном травителе (картина расположения ямок должна совпадать).


Меню раздела


Требования к полупроводниковым материалам
Требования к полупроводниковым подложкам
Методы контроля ориентации, качества поверхности подложек
Методы контроля и исследования содержания остаточных загрязнений
Основные технологические процессы физико-химической обработки
Классификация методов химической обработки поверхности полупроводников
Краткие сведения о процессах растворения и химического полирования проводников
Предельная плотность диффузионного потока
Теория конвективной диффузии
Основные параметры, определяющие эффективность ХДП и качество поверхности подложек
Влияние химического состава, электрофизических свойств
Химический состав травителя и способ его приготовления
Химическое травление полупроводниковых соединений
Влияние предшествующей обработки подложек полупроводников
Технологические условия и устройства для химико-динамического полирования
Состояние поверхности подложки после химического полирования
Химико-механическое полирование полупроводниковых подложек
Химико-механическое полирование кремния и германия
Химико-механическое полирование полупроводниковых соединений типа АШВУ
Химико-динамическое полирование подложек из кремния и германия
Химико-динамическое полирование полупроводниковых подложек соединений типа АШВУ
Химическое травление легированного арсенида
Процесс химического полирования подложек
Совмещенная технология обработки поверхности полупроводников
Межоперационная очистка подложек
Финишная очистка подложек и соединений типа ЛШВУ
Ионно-плазменные процессы финишной очистки
Плазмохимическое травление поверхности полупроводников
Влияние качества обработки поверхности подложек
Краткие сведения об анодных процессах на полупроводниках
Анодное окисление полупроводников
Особенности анодных процессов на полупроводниках при периодическом токе
Анизотропное травление
Получение микрорельефа локальным травлением
Составы анизотропных травителей
Получение тонких пластинок и мембран
Фотохимическое травление
Выявление р-л-переходов и границ в эпитаксиальных структурах
Выявление дислокаций
 

© 2011 Разработано специально для texnlit.ru, все права защищены.
Копирование материалов сайта разрешается только с указанием прямой индексируемой ссылки на источник.