Техническая документация литература

 


Билеты
Производственная система
Бережливое производство
Электротехнические материалы
Силовые кабели
Силовые полупроводниковые приборы
Выключатели переключатели
Рубильники и пускатели
Реле
Датчики
Трансформаторы
Пусконаладочные работы
Ремонт бытовых электроприборов
Асинхронные двигатели
Автоматизация производства
Телефонные станции
Справочник по радиоэлектронике
Ремонт телевизоров
Ремонт устройств РЗиА
Электробезопасность 5 группа
Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников
  Карта сайта

 
Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников

Этот раздел посвящен одному из важных разделов технологии микроэлектронных приборов и интегральных микросхем — обработке поверхности полупроводников.
Авторами впервые предпринята попытка комплексно осветить современные физико-химические методы обработки поверхности полупроводников: химико-механическое полирование (ХМП), химико-динамическое полирование (ХДП), электрохимическое и фотохимическое травление и полирование, различные методы очистки поверхности подложек полупроводников, включая плазмохимическую обработку. Основное внимание уделено применению этих методов для подготовки подложек из 'кремния, германия, соединений, используемых в промышленности при изготовлении микроэлектронных приборов и интегральных микросхем!
Материал книги базируется на результатах исследований, опубликованных в периодической российской и зарубежной печати, за последние 10—15 лет.
В 1 части приведены требования к полупроводниковым материалам и подложкам, методы исследования качества поверхности и контроля геометрических и физико-химических параметров подложек.
Во 2 части изложены основы химических и физико-химических методов обработки поверхности полупроводников с точки зрения современных представлений о процессах растворения твердых тел. Наряду с другими факторами (природа и кристаллографическая ориентация полупроводникового монокристалла, качество предварительной обработки его поверхности, состава электролита и др.) впервые рассмотрено влияние гидродинамических условий травления (полирования) на качество поверхности полупроводниковых пластин после их химического полирования.
3 часть посвящена применению различных физико-химических методов обработки поверхности полупроводников для решения конкретных технологических задач — пред-эпитаксиальной подготовки подложек из различных материалов (соединений АШВУ). Подробно рассмотрены методы финишной очистки и плазмохимической обработки поверхности подложек.
В 4 части представлены электрохимические методы обработки поверхности полупроводниковых материалов (электрохимическое травление и полирование, анодное окисление и др.). Показана перспективность применения периодического тока для обработки поверхности полупроводников.
В 5 части описан ряд физико-химических методов обработки полупроводников, используемых в микроэлектронике: локальное анизотропное травление для формирования различных микро-профилей (мезо-структур, канавок, лунок и др.). получение ультратонких пластин (диафрагм), дифракционных решеток и др. Здесь же приведены химические методы выявления дефектов в объеме и в тонких поверхностных слоях, границ слоев и р — л-переходов в гомо-и гетеро-эпитаксиальных структурах на основе, соединений АШВУ и их твердых растворов.
Книга рекомендуется в качестве методического руководства для инженеров-технологов и исследователей физико-химического профиля, занимающихся производством и разработкой полупроводниковых приборов и интегральных микросхем, а также технологией и исследованием полупроводниковых материалов. Авторы благодарны проф. Ю. Д. Чистякову за полезные советы и пожелания, сделанные при рецензировании рукописи.


Меню раздела


Требования к полупроводниковым материалам
Требования к полупроводниковым подложкам
Методы контроля ориентации, качества поверхности подложек
Методы контроля и исследования содержания остаточных загрязнений
Основные технологические процессы физико-химической обработки
Классификация методов химической обработки поверхности полупроводников
Краткие сведения о процессах растворения и химического полирования проводников
Предельная плотность диффузионного потока
Теория конвективной диффузии
Основные параметры, определяющие эффективность ХДП и качество поверхности подложек
Влияние химического состава, электрофизических свойств
Химический состав травителя и способ его приготовления
Химическое травление полупроводниковых соединений
Влияние предшествующей обработки подложек полупроводников
Технологические условия и устройства для химико-динамического полирования
Состояние поверхности подложки после химического полирования
Химико-механическое полирование полупроводниковых подложек
Химико-механическое полирование кремния и германия
Химико-механическое полирование полупроводниковых соединений типа АШВУ
Химико-динамическое полирование подложек из кремния и германия
Химико-динамическое полирование полупроводниковых подложек соединений типа АШВУ
Химическое травление легированного арсенида
Процесс химического полирования подложек
Совмещенная технология обработки поверхности полупроводников
Межоперационная очистка подложек
Финишная очистка подложек и соединений типа ЛШВУ
Ионно-плазменные процессы финишной очистки
Плазмохимическое травление поверхности полупроводников
Влияние качества обработки поверхности подложек
Краткие сведения об анодных процессах на полупроводниках
Анодное окисление полупроводников
Особенности анодных процессов на полупроводниках при периодическом токе
Анизотропное травление
Получение микрорельефа локальным травлением
Составы анизотропных травителей
Получение тонких пластинок и мембран
Фотохимическое травление
Выявление р-л-переходов и границ в эпитаксиальных структурах
Выявление дислокаций
 

© 2011 Разработано специально для texnlit.ru, все права защищены.
Копирование материалов сайта разрешается только с указанием прямой индексируемой ссылки на источник.