Техническая документация литература

 


Билеты
Производственная система
Бережливое производство
Электротехнические материалы
Силовые кабели
Силовые полупроводниковые приборы
Выключатели переключатели
Рубильники и пускатели
Реле
Датчики
Трансформаторы
Пусконаладочные работы
Ремонт бытовых электроприборов
Асинхронные двигатели
Автоматизация производства
Телефонные станции
Справочник по радиоэлектронике
Ремонт телевизоров
Ремонт устройств РЗиА
Электробезопасность 5 группа
Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников
  Карта сайта

 
Межоперационная очистка подложек

Межоперационная очистка служит для удаления поверхностных загрязнений на различных стадиях изготовления подложек: после резки, шлифовки, механической и химико-механической полировки. В первую очередь удаляют физические или механические загрязнения (пыль, абразивные и металлические частицы, частицы волокон и механически поврежденного полупроводника), а затем органические загрязнения (смазки, приклеечные материалы, отпечатки пальцев и т. п.). Последние обволакивают механические загрязнения, поэтому удаление обоих видов загрязнений происходит одновременно.
Удаление механических и органических загрязнений (обезжиривание) с поверхности подложек полупроводников достигается при обработке пластин после каждой операции в очищающих жидкостях — органических растворителях или специальных моющих составах. Дли интенсификации процессов межоперационной очистки используют кипячение, распыление реактива под давлением, обработку в парах органических растворителей, механическое воздействие кистями или специальными щетками (гидромеханическая мойка), ультразвуковые колебания и т. д.
Моющие составы. При выборе моющих составов необходимо учитывать химическую природу удаляемых загрязнений, так как большинство обезжиривающих -средств действует селективно по отношению к тем или иным загрязнениям^ Применяемые для обезжиривания органические растворители можно разделить на три класса: углеводороды и спирты; сложные эфиры и кетоны; галоидозН мешенные углеводороды. Растворители первых двух классов приемлемы для удаления минеральных масел и жиров. Они сравнительно мало-токсичны, но легко воспламеняются, поэтому применение их в условиях массового производства нежелательно. К растворителям третьего класса относятся хлористый метилен трихлорэтилен, нерхлорэгален и фреоиы различных марок.
Фреоны — наиболее эффективные моющие жидкости, широко используемые в отечественной и зарубежной электронной промышленности для очистки деталей и узлов электровакуумных и полупроводниковых приборов. В СССР в основном применяют фреон-113 квалификации ХЧ. Очищающее действие фреона значительно возрастает с применением ультразвука, а также в сочетании с другими растворителями (например, с изопропиловым спиртом, ацетоном). образующими с фреоном азеотропные смеси. Для очистки подложек рекомендуются азеотропные смеси, содержащие 97% фреона и 3% изопропилового спирта; 82% четыреххлористого углерода и 18% изопропилового спирта. В последние годы для очистки используют также водные щелочные растворы с добавками поверхностно-активных веществ (например, синтанол ДС-10 квалификации ХЧ). Применение водных моющих растворов, осо-1 беино в сочетании с ультразвуком, вместо органических растворителей, вполне' оправдано, однако требует очень тщательной последующей очистки от остатков моющих средств. Последняя достигается обработкой пластин в потоке декомиэоваиной воды и кистевой обработкой на центрифуге с непрерывной подачей деионизованной воды (например, на установке типа УКМ-3). После промывки в воде пластины сушат в центрифуге. Это один из наиболее эффективных способов удаления остатков влаги с поверхности пластин. После сушки на поверхности пластин должны отсутствовать подтеки, пятна, следы окислов и другие видимые загрязнения. В табл. 3.7 приведена краткая характеристика применяемых в промышленности процессов межоперационной очистки при изготовлении полупроводниковых подложек.
Очистка пластин после ХМП. Примерная технологическая схема очистки полупроводниковых подложек после ХМП приведена в табл. 3.8. На поверхности пластин после ХМП, особенно при использовании суспензии «на основе аэросила, содержится значительное количество загрязнений. Поэтому сразу же после ХМП поверхность пластин 51, Ое или соединений АШВУ необходимо быстро и' тщательно отмыть от остатков суспензии. Пластины на оправке промывают мягкой полиэтиленовой губкой, смоченной водным! раствором поверхностно-активного вещества (100 г порошка «Лотос» или другого моющего средства растворяют в 1 л теплой деионизованной воды и раствор фильтруют через тонкую ткань). Далее пластины на оправке промывают не менее 5 мин подогретой до 313—323 К деионизованной водой, после чего оправку с пластинами сушат в центрифуге 2—3 мин. В некоторых случаях рабочую сторону пластин (не снимая с оправки) защищают от п0‘1 следующих химических воздействий, а также от повторных загрязнении из окружающей среды тонким слоем ПАН-лака (лак на основе полиакрилнитрила); при этом совмещают операции сушки лака и снятия (отклеивания) пластин с оправки. При необходимости пленку ПАН-лака легко удаляют скальпелем или клейкой лентой. Следует, однако, учесть, что защита рабочей поверхности пластин ПАН-лаком недостаточно надежна, так как есть вероятность его неполного удаления, особенно с торцов пластин. Остатки лака при последующих термических операциях, особенно и высоком вакууме, могут обусловить брак по электрофизическим параметрам полупроводниковых приборов.
Дальнейшие операции очистки пластин проводят в два этапа (см. табл./3.8). Первый этан — очистка от органических и неорганических загрязнений. -Второй этап — финишная очистка непосредственно перед ХДП или перед эпитаксией (если пластины не подвергаются ХДП). На первом этане очистка включает удаление воска или другого приклеенного материала с рабочей и нерабочей-стороны и торцов пластин, обезжиривание в парах органических растворителей в специальных устройствах типа аппарата Сокслста, работающих по принципу экстракции загрязнений с поверхности пластин свежим конденсатом. В ряде случаев применяют дополнительную двух- или трехкратную ультразвуковую обработку (по 3—4 мин) в теплых азеотронных смесях или в изопропиловом спирте. После обезжиривания пластины промывают в протоке деионизованной воды на кистемосичных установках или в специальных 'лабораторных установках. После промывки пластины сушат в .центрифуге. Все операции по очистке проводят в специальных кассетах из фторопласта. При хорошем обезжиривании и тщательной промывке деионизованная вода равномерно смачивает поверхность пластин без образования капель на загрязненных местах.


Меню раздела


Требования к полупроводниковым материалам
Требования к полупроводниковым подложкам
Методы контроля ориентации, качества поверхности подложек
Методы контроля и исследования содержания остаточных загрязнений
Основные технологические процессы физико-химической обработки
Классификация методов химической обработки поверхности полупроводников
Краткие сведения о процессах растворения и химического полирования проводников
Предельная плотность диффузионного потока
Теория конвективной диффузии
Основные параметры, определяющие эффективность ХДП и качество поверхности подложек
Влияние химического состава, электрофизических свойств
Химический состав травителя и способ его приготовления
Химическое травление полупроводниковых соединений
Влияние предшествующей обработки подложек полупроводников
Технологические условия и устройства для химико-динамического полирования
Состояние поверхности подложки после химического полирования
Химико-механическое полирование полупроводниковых подложек
Химико-механическое полирование кремния и германия
Химико-механическое полирование полупроводниковых соединений типа АШВУ
Химико-динамическое полирование подложек из кремния и германия
Химико-динамическое полирование полупроводниковых подложек соединений типа АШВУ
Химическое травление легированного арсенида
Процесс химического полирования подложек
Совмещенная технология обработки поверхности полупроводников
Межоперационная очистка подложек
Финишная очистка подложек и соединений типа ЛШВУ
Ионно-плазменные процессы финишной очистки
Плазмохимическое травление поверхности полупроводников
Влияние качества обработки поверхности подложек
Краткие сведения об анодных процессах на полупроводниках
Анодное окисление полупроводников
Особенности анодных процессов на полупроводниках при периодическом токе
Анизотропное травление
Получение микрорельефа локальным травлением
Составы анизотропных травителей
Получение тонких пластинок и мембран
Фотохимическое травление
Выявление р-л-переходов и границ в эпитаксиальных структурах
Выявление дислокаций
 

© 2011 Разработано специально для texnlit.ru, все права защищены.
Копирование материалов сайта разрешается только с указанием прямой индексируемой ссылки на источник.