Техническая документация литература

 


Билеты
Производственная система
Бережливое производство
Электротехнические материалы
Силовые кабели
Силовые полупроводниковые приборы
Выключатели переключатели
Рубильники и пускатели
Реле
Датчики
Трансформаторы
Пусконаладочные работы
Ремонт бытовых электроприборов
Асинхронные двигатели
Автоматизация производства
Телефонные станции
Справочник по радиоэлектронике
Ремонт телевизоров
Ремонт устройств РЗиА
Электробезопасность 5 группа
Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников
  Карта сайта

 
Основные технологические процессы физико-химической обработки поверхности полупроводников

В технологии микроэлектронных приборов и микросхем различают процессы:
нанесете вещества в виде слоев и пленок на поверхность твердой фазы-подложки;
удаление вещества с подложки;
перераспределение атомов (ионов) между внешней средой н твердой фазой или в объеме твердой фазы-подложки.
Рассматриваемые технологические процессы обработки поверхности подложек в основном связаны с процессами удаления вещества. Удаление вещества может включать как физические процессы (испарение, десорбция, механическое удаление под действием абразива и др.), так и химические превращения окислительно-восстановительные процессы, реакции замещения, комплексо-образования и т. д.). В реальных процессах обработки поверхности полупроводников, кале правило, комплексно используются физические я химические процессы удаления вещества. Для 'интенсификации процессов удаления вещества применяются различные источники энергии: механическое трение и перемещение (процессы химико-механического и химико-динамического полирования); повышение температуры и разряд в электрических полях высокой частоты (термическое травление в вакууме, процессы); электрический ток и свет (электрохимические и фотохимические, процессы травления); ультразвуковые колебания (ультразвуковая; очистка и травление) и т. п. Таким образом, большинство применяемых процессов обработки поверхности полупроводников носит физико-химический характер.
Процессы удаления вещества с поверхности твердой фазы, на-) пример подложки, протекают обычно с существенным изменением: геометрических размеров и морфологии поверхности. Они могут; протекать однородно по всей поверхности (тотальная обработка), либо на отдельных участках поверхности подложки (локально, на строго ограниченных участках) в соответствии с заданной топологией (топографическим рисунком). Если же процесс обработки регулируется физическими или кристаллохимическими свойствами полупроводника, например, дефектностью или заданной кристаллографической плоскостью, то процесс протекает селективно. И, на*, конец, при физико-химической обработке поверхности полупроводников могут совмещаться тотально-локальные и локально-селективные процессы удаления материала. На рис. 1.3 представлена примерная классификация физико-химических методов обработки поверхности полупроводников.
Методы физико-химической обработки полупроводниковых подложек включают предварительную, межоперационную и финишную очистку поверхности от органических и неорганических загрязнений. Очистка производится в жидкой или паро-газовой средах с интенсификацией процесса механической протиркой поверхности подложек (гидромеханические кистемойки и др.,), ультразвуком, низкотемпературной плазмой, термическим нагревом в вакууме, ионной бомбардировкой и т. д.
После предварительной очистки на стадии пред планарной и пред эпитаюсиальной обработки подложек используются методы химико-механического полирования (ХМП), химико-динамического (ХДП) и электрохимического (ЗХП), а также плазмохимического травления (ПХТ), Области применения этих процессов физико-химической обработки поверхности подложек могут быть весьма разнообразны, как при решении технологических, так и исследовательских задач.
Примерная технологическая схема изготовления подложек представлена в табл. 1.8. Основные процессы механической обработки (1—4) описаны в [6], а процессы подготовки подложек из элементарных полупроводников н соединений АШВУ.
Физико-химические процессы обработки поверхности полупроводников используются не только для подготовки подложек, но для решения ряда специальных технологических задач микроэлектроники. К ним, например, относятся получение методами анизотропного травления определенного микрорельефа, изготовление тонких пластин, выявление границ в диффузионных и эпитакональная структурах, а также различных дефектов в полупроводниках. Подробно эти методы рассмотрены в гл. 5.

Примерная технологическая схема изготовления полупроводниковых подложек
1. Ориентация монокристаллического слитка (рентгеновский гониометр влн установка оптической ориентации)
2. Резка слитка на заготовки пластин (алмазные круги с внутренней режущей кромкой)
3. Шлифование пластин (свободным или связанным абразивом)
4. Полирование пластин (алмазными пастами)
5. Химико-механическое полирование пластин (абразивными или без-абразивными композициями)
6. Очистка и отмывка поверхности подложек от механических, органических и неорганических загрязнений
7. Химико-динамическое полирование подложек в жидкой среде или травление в газовой, парогазовой средах, в растворе-расплаве
8. Финишная очистка подложек от остатков травителя и других загрязнений


Меню раздела


Требования к полупроводниковым материалам
Требования к полупроводниковым подложкам
Методы контроля ориентации, качества поверхности подложек
Методы контроля и исследования содержания остаточных загрязнений
Основные технологические процессы физико-химической обработки
Классификация методов химической обработки поверхности полупроводников
Краткие сведения о процессах растворения и химического полирования проводников
Предельная плотность диффузионного потока
Теория конвективной диффузии
Основные параметры, определяющие эффективность ХДП и качество поверхности подложек
Влияние химического состава, электрофизических свойств
Химический состав травителя и способ его приготовления
Химическое травление полупроводниковых соединений
Влияние предшествующей обработки подложек полупроводников
Технологические условия и устройства для химико-динамического полирования
Состояние поверхности подложки после химического полирования
Химико-механическое полирование полупроводниковых подложек
Химико-механическое полирование кремния и германия
Химико-механическое полирование полупроводниковых соединений типа АШВУ
Химико-динамическое полирование подложек из кремния и германия
Химико-динамическое полирование полупроводниковых подложек соединений типа АШВУ
Химическое травление легированного арсенида
Процесс химического полирования подложек
Совмещенная технология обработки поверхности полупроводников
Межоперационная очистка подложек
Финишная очистка подложек и соединений типа ЛШВУ
Ионно-плазменные процессы финишной очистки
Плазмохимическое травление поверхности полупроводников
Влияние качества обработки поверхности подложек
Краткие сведения об анодных процессах на полупроводниках
Анодное окисление полупроводников
Особенности анодных процессов на полупроводниках при периодическом токе
Анизотропное травление
Получение микрорельефа локальным травлением
Составы анизотропных травителей
Получение тонких пластинок и мембран
Фотохимическое травление
Выявление р-л-переходов и границ в эпитаксиальных структурах
Выявление дислокаций
 

© 2011 Разработано специально для texnlit.ru, все права защищены.
Копирование материалов сайта разрешается только с указанием прямой индексируемой ссылки на источник.