Техническая документация литература

 


Билеты
Производственная система
Бережливое производство
Электротехнические материалы
Силовые кабели
Силовые полупроводниковые приборы
Выключатели переключатели
Рубильники и пускатели
Реле
Датчики
Трансформаторы
Пусконаладочные работы
Ремонт бытовых электроприборов
Асинхронные двигатели
Автоматизация производства
Телефонные станции
Справочник по радиоэлектронике
Ремонт телевизоров
Ремонт устройств РЗиА
Электробезопасность 5 группа
Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников
  Карта сайта

 
Методы контроля ориентации, качества поверхности и геометрических параметров подложек

Методы физического контроля параметров готовых подложек в производстве полупроводниковых приборов имеют ряд особенностей, обусловленных длительностью технологического процесса, что затрудняет установление обратно! связи между качеством готовых изделии к параметрами входного контроля. Качество подложек зависит также от множества неконтролируемых факторов, тем более что в настоящее время отсутствует единая система оптимизации контроля на технологических операциях.
В связи с использованием в производстве пластин большого диаметра, а также вследствие уменьшения размеров элементов активных областей приборов, особое значение приобрел контроль плоскостности и клиновидности поверхности, полированных пластан н ее изгибов после различных технологических процессов. Существенное значение имеет прецизионный контроль всех геометрических параметров и дефектов поверхности подложек при различных данных.
Широкое распространение получают также методы эллипсометрии, с помощью которых можно эффективно исследовать свойства нарушенного слоя и его толщину, качество обработанных подложек, кинетику роста и травления пленок окислов на 51 н полупроводниках типа АШВУ. Для этих целей/используют эллипсометрические микроскопы ЛЭМ-2 я ЛЭМ-3. Кроме того, мзда-т лазерные телевизионные интерферометры УКП-2 н ЛИТ-1, которые используются и для контроля плоскостности поверхности подложек.


Меню раздела


Требования к полупроводниковым материалам
Требования к полупроводниковым подложкам
Методы контроля ориентации, качества поверхности подложек
Методы контроля и исследования содержания остаточных загрязнений
Основные технологические процессы физико-химической обработки
Классификация методов химической обработки поверхности полупроводников
Краткие сведения о процессах растворения и химического полирования проводников
Предельная плотность диффузионного потока
Теория конвективной диффузии
Основные параметры, определяющие эффективность ХДП и качество поверхности подложек
Влияние химического состава, электрофизических свойств
Химический состав травителя и способ его приготовления
Химическое травление полупроводниковых соединений
Влияние предшествующей обработки подложек полупроводников
Технологические условия и устройства для химико-динамического полирования
Состояние поверхности подложки после химического полирования
Химико-механическое полирование полупроводниковых подложек
Химико-механическое полирование кремния и германия
Химико-механическое полирование полупроводниковых соединений типа АШВУ
Химико-динамическое полирование подложек из кремния и германия
Химико-динамическое полирование полупроводниковых подложек соединений типа АШВУ
Химическое травление легированного арсенида
Процесс химического полирования подложек
Совмещенная технология обработки поверхности полупроводников
Межоперационная очистка подложек
Финишная очистка подложек и соединений типа ЛШВУ
Ионно-плазменные процессы финишной очистки
Плазмохимическое травление поверхности полупроводников
Влияние качества обработки поверхности подложек
Краткие сведения об анодных процессах на полупроводниках
Анодное окисление полупроводников
Особенности анодных процессов на полупроводниках при периодическом токе
Анизотропное травление
Получение микрорельефа локальным травлением
Составы анизотропных травителей
Получение тонких пластинок и мембран
Фотохимическое травление
Выявление р-л-переходов и границ в эпитаксиальных структурах
Выявление дислокаций
 

© 2011 Разработано специально для texnlit.ru, все права защищены.
Копирование материалов сайта разрешается только с указанием прямой индексируемой ссылки на источник.