Методы физического контроля параметров готовых подложек в производстве полупроводниковых приборов имеют ряд особенностей, обусловленных длительностью технологического процесса, что затрудняет установление обратно! связи между качеством готовых изделии к параметрами входного контроля. Качество подложек зависит также от множества неконтролируемых факторов, тем более что в настоящее время отсутствует единая система оптимизации контроля на технологических операциях.
В связи с использованием в производстве пластин большого диаметра, а также вследствие уменьшения размеров элементов активных областей приборов, особое значение приобрел контроль плоскостности и клиновидности поверхности, полированных пластан н ее изгибов после различных технологических процессов. Существенное значение имеет прецизионный контроль всех геометрических параметров и дефектов поверхности подложек при различных данных.
Широкое распространение получают также методы эллипсометрии, с помощью которых можно эффективно исследовать свойства нарушенного слоя и его толщину, качество обработанных подложек, кинетику роста и травления пленок окислов на 51 н полупроводниках типа АШВУ. Для этих целей/используют эллипсометрические микроскопы ЛЭМ-2 я ЛЭМ-3. Кроме того, мзда-т лазерные телевизионные интерферометры УКП-2 н ЛИТ-1, которые используются и для контроля плоскостности поверхности подложек. |