Свежеполированная поверхность полупроводниковых подложек обладает повышенной химической активностью. Многие исследователи отмечают присутствие на поверхности подложек после ХДП окисной пленки. Толщина остаточной окисной пленки составляет от 0,0015 до 0,007 мкм, для 0:е около 0,002 мкм. Оютая и величина такой пленки зависит от химических свойств полупроводника, от природы и чистоты реагентов, используемых для химического травления и для отмывки от остатков травителя, от способа подложек, условий и времени их хранения. Особенно чувствительны к различным химическим обработкам поверхность подложек соединений АШВУ. В табл. 2.2 приведены толщины остаточных окиоиых пленок на ОаАз после обработки подложек в разных травителях, а в табл. 2.3 толщина окисных пленок после химической обработки подложек в растворителях и отдельных реагентах. Из этих данных следует, что очень важно все стадии окончательной отмывки и подготовки подложек к последующим операциям — окислению, диффузии, эпитаксии — .проводить в строго идентичных условиях.
Если после ХДП подложки поступают на последующую пред-планарную или предэпитаксиальную обработку (травление парогазовой смесью, вакуум-термическое травление или травление в растворе-расплаве, а также ионно-химическое или электронно-ионное травление), то остаточный слой (толщиной 1,5—2нм) окислов на поверхности пластин мало существен. Если же подложки сразу л осле ХДП поступают на операцию окисления, то последующие слои окисла осаждаются на остающуюся окисную пленку.
Дополнительная обработка горячей концентрированной НС1 в течение 5 мин поверхностей, подвергающихся химическому полированию в сернокислотных травителях различного состава (где 10<х<250), позволяет снизить толщину окисной пленки на этих поверхностях до 2нм.
Способ химической обработки пластин /г-1пР (легированные или 5п, 1017 см) и окружающая среда (N2, А, Н2, Н20, 02, вакуум) влияют на интенсивность фотолюминесценции при комнатной температуре различных плоскостей этих пластин {100}, {111} В, {110}. В [44] доказано, что после химического полирования пластин 1пР различной ориентации в бром-метанольном растворе (концентрация Вг2 2—8%) интенсивность фотолюминесценции возрастала в 2—3 раза (по сравнению с исходными образцами после механической полировки). Отрицательно влияют на интенсивность фотолюминесценции всех исследуемых образцов адсорбированные анионы кислот (после обработки пластин в 20— 4'0%ных растворах Н1МОз, НР, НС1, Н3РО4 с последующей промывкой в деионизованной воде) и особенно адсорбированные ионы Си+ и Ад, даже если пластины подвергались последующей тщательной ультразвуковой обработке в проточной деионизованной воде. Интенсивность фотолюминесценции различных плоскостей 1пР Также падает при наличии 02 и Н20 в окружающей среде. Приведенные примеры показывают существенное влияние способа химической обработки поверхности пластин 1пР на их электрофизические параметры.