Техническая документация литература

 


Билеты
Производственная система
Бережливое производство
Электротехнические материалы
Силовые кабели
Силовые полупроводниковые приборы
Выключатели переключатели
Рубильники и пускатели
Реле
Датчики
Трансформаторы
Пусконаладочные работы
Ремонт бытовых электроприборов
Асинхронные двигатели
Автоматизация производства
Телефонные станции
Справочник по радиоэлектронике
Ремонт телевизоров
Ремонт устройств РЗиА
Электробезопасность 5 группа
Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников
  Карта сайта

 
Основные параметры, определяющие эффективность ХДП и качество поверхности подложек

Эффективность процесса химико-динамического полирования (ХДП) поверхности подложек полупроводников оценивается следующими параметрами.
Скорость химического травления определяется толщиной удаляемого слоя с поверхности подложки (с одной стороны) за единицу времени. Она характеризует производительность процесса п жирования. При травлении (полировании) соединений АШВУ н обходимо учитывать зависимость скорости травления от кристаллографической ориентации подложек.
Стабильность скорости травления характеризуется постоянны значением скорости травления после удаления нарушенного слоя подложки полупроводника; скорость травления мо5кет уменьшаться, а качество поверхности полируемых пластин ухудшаться из-8Я так называемого «истощения» травителя (изменение состава травителя вследствие разложения исходных реагентов раствора и наколления продуктов реакции); обычно стабильность скорости травления выражается в процентах от начальной скорости.
Микрорельеф — шероховатость поверхности — совокупность неровностей поверхности, образующих рельеф поверхности, Базовая длина отсчитывается по средней линии т профиля, ее значение зависит от величины неровностей и равно 0,01; 0,03; 0,08; 0,25; 0,8; 2,5; 8; 25 мм. Шероховатость поверхности характеризуется: средним арифметическим отклонением профиля На (средний арифметическим абсолютных значений отклонений профиля г/,- в пределах базовой длины); высотой неровностей профиля /?2 по десяти точкам (среднее значение абсолютных размеров пяти наибольших выступов профиля в пределах базовой длины; для средней линии, имеющей форму отрезка прямой, наибольшей высотой неровностей профиля /?шнх; средним шагом неровностей 5т в пределах базовой длины; средним шагом неровностей 1ПО вершинам 5 и относительной опорной длиной профиля, равной отношению опорной длины профиля к базовой длине.
Шероховатость определяет качество обработанной поверхности. Микрорельеф химически полированной поверхности полупроводник новых подложек должен соответствовать значениям 0,05-—0,025 мкм.
Кристаллическое совершенство поверхности характеризует! полным отсутствием нарушенного слоя и обычно контролирует выборочно после химического травления подложек на заданную глубину травления.
Физико-химическая чистота поверхности лимитируется уровне допустимых на поверхности .подложки адсорбированных загрязнений и толщиной фазовых пленок; обычно определяется числом атомов примесей на единицу поверхности. Этот параметр зависит о степени чистоты окружающей среды, применяемых химических реагентов, от способа и качества финишной отмывки подложек ХДП; контроль производится выборочно.
Геометрические параметры подложек (толщина, отклонение с плоскостности и параллельности сторон .подложек) определяются в зависимости от исходной геометрической формы и толщины пол ложек при их ХДП; геометрические параметры подложек измеряются в микрометрах и контролируются при величине съема по толщине не менее 10 мкм.
На эффективность ХДП и качество поверхности полупроводниковых подложек оказывают влияние многочисленные факторы, основными из них являются: химический состав, электро-физически свойства и кристаллографическая ориентация полупроводника; состав травителя и способ его приготовления; предшествующая об работка (подложек; глубина и скорость химического полирования технологические условия и устройства для ХДП; состояние поверхности подложек после ХДП.


Меню раздела


Требования к полупроводниковым материалам
Требования к полупроводниковым подложкам
Методы контроля ориентации, качества поверхности подложек
Методы контроля и исследования содержания остаточных загрязнений
Основные технологические процессы физико-химической обработки
Классификация методов химической обработки поверхности полупроводников
Краткие сведения о процессах растворения и химического полирования проводников
Предельная плотность диффузионного потока
Теория конвективной диффузии
Основные параметры, определяющие эффективность ХДП и качество поверхности подложек
Влияние химического состава, электрофизических свойств
Химический состав травителя и способ его приготовления
Химическое травление полупроводниковых соединений
Влияние предшествующей обработки подложек полупроводников
Технологические условия и устройства для химико-динамического полирования
Состояние поверхности подложки после химического полирования
Химико-механическое полирование полупроводниковых подложек
Химико-механическое полирование кремния и германия
Химико-механическое полирование полупроводниковых соединений типа АШВУ
Химико-динамическое полирование подложек из кремния и германия
Химико-динамическое полирование полупроводниковых подложек соединений типа АШВУ
Химическое травление легированного арсенида
Процесс химического полирования подложек
Совмещенная технология обработки поверхности полупроводников
Межоперационная очистка подложек
Финишная очистка подложек и соединений типа ЛШВУ
Ионно-плазменные процессы финишной очистки
Плазмохимическое травление поверхности полупроводников
Влияние качества обработки поверхности подложек
Краткие сведения об анодных процессах на полупроводниках
Анодное окисление полупроводников
Особенности анодных процессов на полупроводниках при периодическом токе
Анизотропное травление
Получение микрорельефа локальным травлением
Составы анизотропных травителей
Получение тонких пластинок и мембран
Фотохимическое травление
Выявление р-л-переходов и границ в эпитаксиальных структурах
Выявление дислокаций
 

© 2011 Разработано специально для texnlit.ru, все права защищены.
Копирование материалов сайта разрешается только с указанием прямой индексируемой ссылки на источник.