Эффективность процесса химико-динамического полирования (ХДП) поверхности подложек полупроводников оценивается следующими параметрами.
Скорость химического травления определяется толщиной удаляемого слоя с поверхности подложки (с одной стороны) за единицу времени. Она характеризует производительность процесса п жирования. При травлении (полировании) соединений АШВУ н обходимо учитывать зависимость скорости травления от кристаллографической ориентации подложек.
Стабильность скорости травления характеризуется постоянны значением скорости травления после удаления нарушенного слоя подложки полупроводника; скорость травления мо5кет уменьшаться, а качество поверхности полируемых пластин ухудшаться из-8Я так называемого «истощения» травителя (изменение состава травителя вследствие разложения исходных реагентов раствора и наколления продуктов реакции); обычно стабильность скорости травления выражается в процентах от начальной скорости.
Микрорельеф — шероховатость поверхности — совокупность неровностей поверхности, образующих рельеф поверхности, Базовая длина отсчитывается по средней линии т профиля, ее значение зависит от величины неровностей и равно 0,01; 0,03; 0,08; 0,25; 0,8; 2,5; 8; 25 мм. Шероховатость поверхности характеризуется: средним арифметическим отклонением профиля На (средний арифметическим абсолютных значений отклонений профиля г/,- в пределах базовой длины); высотой неровностей профиля /?2 по десяти точкам (среднее значение абсолютных размеров пяти наибольших выступов профиля в пределах базовой длины; для средней линии, имеющей форму отрезка прямой, наибольшей высотой неровностей профиля /?шнх; средним шагом неровностей 5т в пределах базовой длины; средним шагом неровностей 1ПО вершинам 5 и относительной опорной длиной профиля, равной отношению опорной длины профиля к базовой длине.
Шероховатость определяет качество обработанной поверхности. Микрорельеф химически полированной поверхности полупроводник новых подложек должен соответствовать значениям 0,05-—0,025 мкм.
Кристаллическое совершенство поверхности характеризует! полным отсутствием нарушенного слоя и обычно контролирует выборочно после химического травления подложек на заданную глубину травления.
Физико-химическая чистота поверхности лимитируется уровне допустимых на поверхности .подложки адсорбированных загрязнений и толщиной фазовых пленок; обычно определяется числом атомов примесей на единицу поверхности. Этот параметр зависит о степени чистоты окружающей среды, применяемых химических реагентов, от способа и качества финишной отмывки подложек ХДП; контроль производится выборочно.
Геометрические параметры подложек (толщина, отклонение с плоскостности и параллельности сторон .подложек) определяются в зависимости от исходной геометрической формы и толщины пол ложек при их ХДП; геометрические параметры подложек измеряются в микрометрах и контролируются при величине съема по толщине не менее 10 мкм.
На эффективность ХДП и качество поверхности полупроводниковых подложек оказывают влияние многочисленные факторы, основными из них являются: химический состав, электро-физически свойства и кристаллографическая ориентация полупроводника; состав травителя и способ его приготовления; предшествующая об работка (подложек; глубина и скорость химического полирования технологические условия и устройства для ХДП; состояние поверхности подложек после ХДП. |