Техническая документация литература

 


Билеты
Производственная система
Бережливое производство
Электротехнические материалы
Силовые кабели
Силовые полупроводниковые приборы
Выключатели переключатели
Рубильники и пускатели
Реле
Датчики
Трансформаторы
Пусконаладочные работы
Ремонт бытовых электроприборов
Асинхронные двигатели
Автоматизация производства
Телефонные станции
Справочник по радиоэлектронике
Ремонт телевизоров
Ремонт устройств РЗиА
Электробезопасность 5 группа
Физико-химические методы обработки поверхности полупроводников
  Карта сайта

 
Химико-механическое полирование кремния и германия

Скорость полирования подложек кремния при химико-механической обработке определяется скоростью химической реакции на поверхности пластины, эффективностью подачи реагентов и удаления продуктов реакции и диффузии травящих веществ в граничном слое полируемого материала, причем толщина этого слоя, в свою очередь, зависит от скорости вращения полировального круга. Анализ результатов по ХМП кремния в системе 5Юа — этилендиамин показал, что исследованные параметры по их влиянию на интенсивность съема и качество поверхности располагаются в следующей последовательности: концентрация этилендиамнна С, удельное давление Р> температура Т в зоне обработки, исходная величина микронеровностей во время обработки т. Повышение химической активности суспензии с увеличением концентрации этилендиамина приводит к увеличению скорости удаления материала. При температуре ниже 293 К преобладает механическое воздействие на поверхность по сравнению с химическим. Увеличение температуры до 313 К способствует не только улучшению качества поверхности, но и увеличению скорости полирования кремния за счет интенсификации действия химического фактора. С повышением удельного давления на подложки скорость полирования также возрастает, как за счет участия в работе большего числа зерен твердой фазы суспензии, так и за счет повышения температуры в зоне полирования. Но эффективность выравнивания профиля поверхности несколько уменьшается. Увеличение времени обработки приводит к уменьшению скорости полирования и эффективности сглаживания, поскольку по мере полирования неровностей поверхности и удаления нарушенного слоя от предшествующей обработки скорость химического воздействия падает и одновременно уменьшается воздействие механического фактора. Рекомендуется следующий оптимальный режим обработки кремния на станке В1М3.105.000 и на синтетической замше: 110-5-120гс/см2, частота вращения круга Лг=100 мин-1, расход суспензии <7=120 капель/мин. Обычно при ХМП должен сниматься слой толщиной 15—20 мкм с подложек $!, обработанных алмазными пастами.
Достаточно хорошо известен и способ ХМП кремния с участием двухвалентных ионов меди. .Метод основан на обменном взаимодействии ионов Сиа+ с поверхностными атомами 51 и заключается в следующем. Подложки кремния приводятся в соприкосновение с полировальным кругом, покрытым полировальным полотном и смоченным водными растворами нитрата или сульфата меди и фторида аммония. При этом поверхность кремния окисляется ионами Си+2, а фтор-ион растворяет образующуюся окисную пленку:
5! + 2СлГ+-~5Г,'1- + 2Си.
514+ + 6р--^5|Р|-.
Медь, осаждающаяся на поверхность кремниевых подложек, непрерывно удаляется при трении подложек о поверхность полировального полотна. Скорость и качество поверхности пластин зависят от состава, концентрации и рН раствора, температуры <и режима полирования. Рекомендуемый режим ХМП 51: концентрация раствора Си(Ж)з)г от 1.0 до 1,6 моль/л; КН*Р — 6—7 моль/л; рН=5,5^6.5; Т=293+: 2 К. давление Р=100—140гс/см2, частота вращения полировальника 60-М 00 мин1. Полученные в этих условиях подложки кремния имеют высокое качество поверхности (высота неровностей /?2=0,03 мкм). практически бездефектную структуру и остаточную величину загрязнений медью не Солее ЫО15 атом/см2 [18].
Для ХМП подложек применяется гипохлорит натрия. Полировку подложек, обработанных предварительно шлифовкой суспензией микропорошка М-5, проводят на полировальнике, обтянутом стеклотканью для быстрого удаления нарушенного слоя' Гипохлорит натрия получают электролизом .при комнатной температуре из раствора с концентрацией 5 моль/л, рН раствора поддерживают при значении, близком к 7Д что обеспечивает концентрацию в пределах 0,05—0,40%. Не плоскостность поверхности после ХМП подложек не превышает 1 мкм/см, шероховатость — около 0,03 мкм .при глубине полирования 20—40 мкм и скорости полирования около 0,14-0,2 мкм/мин.


Меню раздела


Требования к полупроводниковым материалам
Требования к полупроводниковым подложкам
Методы контроля ориентации, качества поверхности подложек
Методы контроля и исследования содержания остаточных загрязнений
Основные технологические процессы физико-химической обработки
Классификация методов химической обработки поверхности полупроводников
Краткие сведения о процессах растворения и химического полирования проводников
Предельная плотность диффузионного потока
Теория конвективной диффузии
Основные параметры, определяющие эффективность ХДП и качество поверхности подложек
Влияние химического состава, электрофизических свойств
Химический состав травителя и способ его приготовления
Химическое травление полупроводниковых соединений
Влияние предшествующей обработки подложек полупроводников
Технологические условия и устройства для химико-динамического полирования
Состояние поверхности подложки после химического полирования
Химико-механическое полирование полупроводниковых подложек
Химико-механическое полирование кремния и германия
Химико-механическое полирование полупроводниковых соединений типа АШВУ
Химико-динамическое полирование подложек из кремния и германия
Химико-динамическое полирование полупроводниковых подложек соединений типа АШВУ
Химическое травление легированного арсенида
Процесс химического полирования подложек
Совмещенная технология обработки поверхности полупроводников
Межоперационная очистка подложек
Финишная очистка подложек и соединений типа ЛШВУ
Ионно-плазменные процессы финишной очистки
Плазмохимическое травление поверхности полупроводников
Влияние качества обработки поверхности подложек
Краткие сведения об анодных процессах на полупроводниках
Анодное окисление полупроводников
Особенности анодных процессов на полупроводниках при периодическом токе
Анизотропное травление
Получение микрорельефа локальным травлением
Составы анизотропных травителей
Получение тонких пластинок и мембран
Фотохимическое травление
Выявление р-л-переходов и границ в эпитаксиальных структурах
Выявление дислокаций
 

© 2011 Разработано специально для texnlit.ru, все права защищены.
Копирование материалов сайта разрешается только с указанием прямой индексируемой ссылки на источник.