СИЛОВЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
* производители
* параметры
* с изолированным затвором
* принцип действия
* модули БТИЗ
* силовые диоды
* силовые модули
* импульсные источники
* быстродействующие диоды
* транзисторы с изолированным затвором
* биполярные транзисторы
* транзисторы
* применение
* модули
* полумосты
* импортные диоды
* силовые диоды
* диоды
* силовые модули
* источники напряжения
* мощные лампы
* транзисторы Дарлингтона
* трехфазный мост
* электропроводка
* открытая прокладка
* изгиб проводов
* алюминиевые провода
* опрессовка
* соединение проводов
* зачистка жил
* монтаж электросети
* эксплуатация электросети
* различия
* что делать если погас свет в квартире
* устранение неисправностей
* диагностика
* указатели напряжения
* пробник MS-48M
* прозвонка линий
* скрытая проводка
* устройство для протягивания кабелей
* отечественные кабелеискатели
* генератор АГ-102
* трассоискатели сталкер
* повреждения силового кабеля
* поиск кабелей
* вектор магнитного поля
* кабельные линии
* кабелеискатели
Полупроводниковые приборы
Быстродействующие диоды
IXYS расширяет спектр высокоскоростных дискретных IGBT транзисторов на напряжение до 1700 В со встроенным обратным SONIC-FRD™ быстродействующим диодом. Новая линия 1700 В IGBT транзисторов содержит быстродействующий выходной диод (по технологии SONIC-FRD). Новые IGBT продукты предлагают уникальные и недорогие решения для заказчиков, разрабатывающих быстродействующие силовые ключи, например в импульсных источниках электропитания, выдерживающие между эмиттером и коллектором напряжение до 1700 В и имеющие возможность работы при частоте переключений до 50 кГц.
Новые IGBT транзисторы являются альтернативой предыдущих быстродействующих 1700 В NPT IGBT транзисторов (с окончанием А) без встроенного обратного диода и смогут найти применение в нагревателях, инверторах, импульсных источниках питания, источниках бесперебойного питания и микроволновых печах.
Новые высоковольтные NPT IGBT транзисторы имеют неоспоримые преимущества перед более дорогостоящими и менее быстродействующими решениями на тиристорах и последовательно соединенных для увеличения выдерживаемого выходного напряжения MOSFET или IGBT транзисторов с напряжением до 1200 В. Кроме этого, новые IGBT транзисторы предлагают законченное решение для преобразователей напряжения с улучшенными КПД и надежностью вследствие уменьшения напряжения отсечки, уменьшения потерь при переключениях и отстугствием внешних дополнительных компонентов.
IXYS SONIC-FRD — высокоскоростной диод, встроенный в IGBT транзистор, имеет низкое падение прямого напряжения на диоде, ультранизкие обратные утечки и предназначен для температурной стабилизации режима работы IGBT, уменьшения затухания и шумов при переключениях и улучшения его динамических характеристик.
Новые IGBT транзисторы предлагаются на токи 16,24 и 32 А и выполнены в корпусах: ТО-247, ТО-268, PLUS247™, ISOPLUS247™ и ISOPLUS i4-PAK™. Сравнительные характеристики высокоскоростных (tH (m) < 50 не) IGBT транзисторов приведены в табл. 3.2. Сокращения в таблице: — напряжение «коллектор-эмитгер»; 1с (25°с> — коллекторный ток при температуре 25 °С;, 1с (9(Гс) — коллекторный ток при температуре 90 °С; VCE (ON ^ — напряжение «коллектор-эмитгер» во включенном состоянии при температуре 25 °С; Eqff —импульсная .энергия выключения; R (JC) (при Tj = 125 °С тип)—тепловое сопротивление.