Полупроводниковые приборы
СИЛОВЫЕ МОДУЛИ
Силовые модули предназначены для построения элементов электротехнических систем различного назначения: выпрямители, инверторы, преобразователи напряжения или частоты.
Семейство силовых модулей включает в себя монолитные гибридные интегральные полупроводниковые сборки с изолированными радиаторами следующих силовых элементов: диодов; тиристоров; МОП-транзисторов; IGBT.
По управлению модули разделяются на две группы:
- модули с непосредственным управлением;
- модули с оптически развязанным управлением.
Функционально модули делятся на пять групп:
- тиристорно-диодные;
- транзисторно (ЮВТ)-диодные;
- полумосты (МОП или IGBT);
- трехфазные мосты (диодные или IGBT);
- мощные сборки транзисторов (МОП или IGBT).
3.2. ТРАНЗИСТОРЫ MOSFET
3.2.1. НОВЫЕ POLARHT™ HIPERFETS™ И IGBT ТРАНЗИСТОРЫ ФИРМЫ IXYS
Примечание.
Новая технология PolarHT™ HiPerFETsw уменьшает сопротивление включенного канала RDS (оп) на 30 % для полевых транзисторов.
Корпорация IXYS анонсировала новое семейство силовых MOSFET транзисторов по новой технологии PolarHT с диапазоном рабочих напряжений между стоком и истоком от 100 В до 300 В. Новое семейство содержит выходной диод (рис. 3.8) для защиты перехода «сток—исток» от обратных токов, имеет высокую крутизну dV/dt, меньшее сопротивление включенного канала RDS (оп), меньший заряд затвора Qg и меньшее тепловое сопротивление R,h6.c), что находит свое применение в качестве силовых ключей тока в инверторах и импульсных источниках электропитания.
Среди применений новых MOSFET транзисторов семейства PolarHT можно также назвать. |