СИЛОВЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
* производители
* параметры
* с изолированным затвором
* принцип действия
* модули БТИЗ
* силовые диоды
* силовые модули
* импульсные источники
* быстродействующие диоды
* транзисторы с изолированным затвором
* биполярные транзисторы
* транзисторы
* применение
* модули
* полумосты
* импортные диоды
* силовые диоды
* диоды
* силовые модули
* источники напряжения
* мощные лампы
* транзисторы Дарлингтона
* трехфазный мост
* электропроводка
* открытая прокладка
* изгиб проводов
* алюминиевые провода
* опрессовка
* соединение проводов
* зачистка жил
* монтаж электросети
* эксплуатация электросети
* различия
* что делать если погас свет в квартире
* устранение неисправностей
* диагностика
* указатели напряжения
* пробник MS-48M
* прозвонка линий
* скрытая проводка
* устройство для протягивания кабелей
* отечественные кабелеискатели
* генератор АГ-102
* трассоискатели сталкер
* повреждения силового кабеля
* поиск кабелей
* вектор магнитного поля
* кабельные линии
* кабелеискатели
Полупроводниковые приборы
СИЛОВЫЕ МОДУЛИ
Силовые модули предназначены для построения элементов электротехнических систем различного назначения: выпрямители, инверторы, преобразователи напряжения или частоты.
Семейство силовых модулей включает в себя монолитные гибридные интегральные полупроводниковые сборки с изолированными радиаторами следующих силовых элементов: диодов; тиристоров; МОП-транзисторов; IGBT.
По управлению модули разделяются на две группы:
- модули с непосредственным управлением;
- модули с оптически развязанным управлением.
Функционально модули делятся на пять групп:
- тиристорно-диодные;
- транзисторно (ЮВТ)-диодные;
- полумосты (МОП или IGBT);
- трехфазные мосты (диодные или IGBT);
- мощные сборки транзисторов (МОП или IGBT).
3.2. ТРАНЗИСТОРЫ MOSFET
3.2.1. НОВЫЕ POLARHT™ HIPERFETS™ И IGBT ТРАНЗИСТОРЫ ФИРМЫ IXYS
Примечание.
 |
Новая технология PolarHT™ HiPerFETsw уменьшает сопротивление включенного канала RDS (оп) на 30 % для полевых транзисторов.
Корпорация IXYS анонсировала новое семейство силовых MOSFET транзисторов по новой технологии PolarHT с диапазоном рабочих напряжений между стоком и истоком от 100 В до 300 В. Новое семейство содержит выходной диод (рис. 3.8) для защиты перехода «сток—исток» от обратных токов, имеет высокую крутизну dV/dt, меньшее сопротивление включенного канала RDS (оп), меньший заряд затвора Qg и меньшее тепловое сопротивление R,h6.c), что находит свое применение в качестве силовых ключей тока в инверторах и импульсных источниках электропитания.
Среди применений новых MOSFET транзисторов семейства PolarHT можно также назвать.