СИЛОВЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
* производители
* параметры
* с изолированным затвором
* принцип действия
* модули БТИЗ
* силовые диоды
* силовые модули
* импульсные источники
* быстродействующие диоды
* транзисторы с изолированным затвором
* биполярные транзисторы
* транзисторы
* применение
* модули
* полумосты
* импортные диоды
* силовые диоды
* диоды
* силовые модули
* источники напряжения
* мощные лампы
* транзисторы Дарлингтона
* трехфазный мост
* электропроводка
* открытая прокладка
* изгиб проводов
* алюминиевые провода
* опрессовка
* соединение проводов
* зачистка жил
* монтаж электросети
* эксплуатация электросети
* различия
* что делать если погас свет в квартире
* устранение неисправностей
* диагностика
* указатели напряжения
* пробник MS-48M
* прозвонка линий
* скрытая проводка
* устройство для протягивания кабелей
* отечественные кабелеискатели
* генератор АГ-102
* трассоискатели сталкер
* повреждения силового кабеля
* поиск кабелей
* вектор магнитного поля
* кабельные линии
* кабелеискатели
Полупроводниковые приборы
БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ (БТИЗ ИЛИ IGBT)
Основные определения и обозначения
Определение.
Биполярными транзисторами с изолированным затвором (БТИЗ) (английская аббревиатура IGBT—Isolated Gate Bipolar Transistor) называются полупроводниковые приборы, у которых на входе находится полевой транзистор, а на выходе — биполярный.
Одно из таких сочетаний показано на рис. 3.4. Прибор введен в силовую цепь выводами биполярного транзистора Е (эмиттер) и С (коллектор), а в цепь управления — выводом G (затвор).
Таким образом, БТИЗ имеет три внешних вывода: эмиттер, коллектор, затвор. Соединения эмиттера и стока (D), базы и истока (S) являются внутренними. Сочетание двух приборов в одной структуре позволило объединить достоинства полевых и биполярных транзисторов: высокое входное сопротивление с высокой токовой нагрузкой и малым сопротивлением во включенном состоянии.
Структура БТИЗ
Схематичный разрез структуры БТИЗ показан на рис. 3.5. Биполярный транзистор (рис. 3.5, а) образован слоями р+ (эмиттер), п (база), р (коллектор); полевой — слоями п (исток), п+ (сток) и металлической пластиной (затвор). Слои р+ и р имеют внешние выводы, включаемые в силовую цепь. Затвор имеет вывод, включаемый в цепь управления.
На рис. 3.5, б изображена структура IGBT IV поколения, выполненуого по технологии «утопленного» канала (trench-gate technology), позволяющей исключить сопротивление между р-базами и уменьшить размеры прибора в несколько раз.
 |