ГЛАВНАЯ

БИЛЕТЫ

ПРОИЗВОДСТВЕННАЯ
СИСТЕМА

БЕРЕЖЛИВОЕ
ПРОИЗВОДСТВО

ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЕ
МАТЕРИАЛЫ

СИЛОВЫЕ КАБЕЛИ

СИЛОВЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ

* производители
* параметры
* с изолированным затвором
* принцип действия
* модули БТИЗ
* силовые диоды
* силовые модули
* импульсные источники
* быстродействующие диоды
* транзисторы с изолированным затвором
* биполярные транзисторы
* транзисторы
* применение
* модули
* полумосты
* импортные диоды
* силовые диоды
* диоды
* силовые модули
* источники напряжения
* мощные лампы
* транзисторы Дарлингтона
* трехфазный мост
* электропроводка
* открытая прокладка
* изгиб проводов
* алюминиевые провода
* опрессовка
* соединение проводов
* зачистка жил
* монтаж электросети
* эксплуатация электросети
* различия
* что делать если погас свет в квартире
* устранение неисправностей
* диагностика
* указатели напряжения
* пробник MS-48M
* прозвонка линий
* скрытая проводка
* устройство для протягивания кабелей
* отечественные кабелеискатели
* генератор АГ-102
* трассоискатели сталкер
* повреждения силового кабеля
* поиск кабелей
* вектор магнитного поля
* кабельные линии
* кабелеискатели

ВЫКЛЮЧАТЕЛИ
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ

РУБИЛЬНИКИ И
ПУСКАТЕЛИ

РЕЛЕ

ДАТЧИКИ

ТРАНСФОРМАТОРЫ

 

Полупроводниковые приборы

 

Транзисторы

 

IGBT МОДУЛИ - ОДИНОЧНЫЕ ключи
Обозначения в табл. 3.7: VCES — напряжение «коллектор-эмиттер» ; 1с — постоянный ток коллектора; 1см — импульсный ток коллектора; VCEsal — напряжение насыщения коллектор-эмиттер; t^ — время включения; ^ — время задержки выключения; R,hjC — тепловое сопротивление «переход- корпус»; V|S0| — напряжение изоляции между выводами и основанием.
Параметры ключей                                                                                                                                                                         Таблица 3.7

МТКИ2-200-12

1200

200

400

2.5

0.4

0.8

0.08

2500

Рис. 3.12. а

МТКИ2-300-12

1200

300

600

2.5

0.42

0.8

0.05

2500

Рис. 3.12. •

МТКИ2-400-12

1200

400

800

2.5

0.42

0.8

0.045

2500

Рис. 3.12. а

МТКИ-800-12

1200

800

1600

2.7

0.7

0.9

0.023

2500

Рис. 3.12.6

МТКИ-1200-12

1200

1200

2400

2.7

0.7

0.9

0.016

2500

Рис. 3.12. б J

МТКИ-1600-12

1200

1600

3200

2.7

0.7

0.9

0,0125

2500

Рис. 3.12.6

МТКИ-1800-12

1200

1800

3600

2.7

0.7

0.9

0.011

2500

Рис. 3.12. в

МТКИ-2400-12

1200

2400

4800

2.7

0.7

0.9

0.01

2500

Рис. 3.12. в

МТКИ2-200-17

1700

200

400

3.5

0.8

1.2

0.07

4000

Рис. 3.12.8

МТКИ2-300-17

1700

300

600

3.5

0.8

1.1

0.05

4000

Рис. 3.12.8

МТКИ-800-17

1700

800

1600

3.5

0.8

1.1

0.02

4000

Рис. 3.12. б

МТКИ-1200-17

1700

1200

2400

3.5

0.8

1.1

0.016

4000

Рис.3.12.6

МТКИ-1800-17

1700

1800

3600

3.5

0.8

0.9

0.011

4000

Рис 3 .12. в J

МТКИ-800-33 МТКИ-1200-33

3300 | 3300

800 1200

1600 2400

3.5 3.5

1.1 1.1

3.4 3.4

0,014 0.0095 1

6000 6000 1

Рис. 3.12. Л Рис. 3.12. б J


3.3. Мощные биполярные транзисторы с изолированным затвором
Рис. 3.12. Электрические схемы IGBT модулей ~ одиночных ключей к шобл. 3.7
3.3.4. IGBT МОДУЛИ-ПОЛУМОСТЫ Особенности IGBT модулей
Особенностями IGBT модулей являются:

  1. МОП-управление;
  2. очень низкий остаточный ток с низкой температурной зависимостью;
  3. высокая стойкость к токам короткого замыкания;
  4. прямоугольная область безопасной работы;
  5. встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с «мягкими» характеристиками обратного восстановления;
  6. низкая внутренняя индуктивность модулей;
  7. внутренняя изоляция обеспечивается DCB-керамикой из окиси или нитрида алюминия.