ГЛАВНАЯ
БИЛЕТЫ
ПРОИЗВОДСТВЕННАЯ
СИСТЕМА
БЕРЕЖЛИВОЕ
ПРОИЗВОДСТВО
ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЕ
МАТЕРИАЛЫ
СИЛОВЫЕ КАБЕЛИ
СИЛОВЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
* производители
* параметры
* с изолированным затвором
* принцип действия
* модули БТИЗ
* силовые диоды
* силовые модули
* импульсные источники
* быстродействующие диоды
* транзисторы с изолированным затвором
* биполярные транзисторы
* транзисторы
* применение
* модули
* полумосты
* импортные диоды
* силовые диоды
* диоды
* силовые модули
* источники напряжения
* мощные лампы
* транзисторы Дарлингтона
* трехфазный мост
* электропроводка
* открытая прокладка
* изгиб проводов
* алюминиевые провода
* опрессовка
* соединение проводов
* зачистка жил
* монтаж электросети
* эксплуатация электросети
* различия
* что делать если погас свет в квартире
* устранение неисправностей
* диагностика
* указатели напряжения
* пробник MS-48M
* прозвонка линий
* скрытая проводка
* устройство для протягивания кабелей
* отечественные кабелеискатели
* генератор АГ-102
* трассоискатели сталкер
* повреждения силового кабеля
* поиск кабелей
* вектор магнитного поля
* кабельные линии
* кабелеискатели
ВЫКЛЮЧАТЕЛИ
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ
РУБИЛЬНИКИ И
ПУСКАТЕЛИ
РЕЛЕ
ДАТЧИКИ
ТРАНСФОРМАТОРЫ
|
Полупроводниковые приборы
Транзисторы
IGBT МОДУЛИ - ОДИНОЧНЫЕ ключи
Обозначения в табл. 3.7: VCES — напряжение «коллектор-эмиттер» ; 1с — постоянный ток коллектора; 1см — импульсный ток коллектора; VCEsal — напряжение насыщения коллектор-эмиттер; t^ — время включения; ^ — время задержки выключения; R,hjC — тепловое сопротивление «переход- корпус»; V|S0| — напряжение изоляции между выводами и основанием.
Параметры ключей Таблица 3.7
МТКИ2-200-12 |
1200 |
200 |
400 |
2.5 |
0.4 |
0.8 |
0.08 |
2500 |
Рис. 3.12. а |
МТКИ2-300-12 |
1200 |
300 |
600 |
2.5 |
0.42 |
0.8 |
0.05 |
2500 |
Рис. 3.12. • |
МТКИ2-400-12 |
1200 |
400 |
800 |
2.5 |
0.42 |
0.8 |
0.045 |
2500 |
Рис. 3.12. а |
МТКИ-800-12 |
1200 |
800 |
1600 |
2.7 |
0.7 |
0.9 |
0.023 |
2500 |
Рис. 3.12.6 |
МТКИ-1200-12 |
1200 |
1200 |
2400 |
2.7 |
0.7 |
0.9 |
0.016 |
2500 |
Рис. 3.12. б J |
МТКИ-1600-12 |
1200 |
1600 |
3200 |
2.7 |
0.7 |
0.9 |
0,0125 |
2500 |
Рис. 3.12.6 |
МТКИ-1800-12 |
1200 |
1800 |
3600 |
2.7 |
0.7 |
0.9 |
0.011 |
2500 |
Рис. 3.12. в |
МТКИ-2400-12 |
1200 |
2400 |
4800 |
2.7 |
0.7 |
0.9 |
0.01 |
2500 |
Рис. 3.12. в |
МТКИ2-200-17 |
1700 |
200 |
400 |
3.5 |
0.8 |
1.2 |
0.07 |
4000 |
Рис. 3.12.8 |
МТКИ2-300-17 |
1700 |
300 |
600 |
3.5 |
0.8 |
1.1 |
0.05 |
4000 |
Рис. 3.12.8 |
МТКИ-800-17 |
1700 |
800 |
1600 |
3.5 |
0.8 |
1.1 |
0.02 |
4000 |
Рис. 3.12. б |
МТКИ-1200-17 |
1700 |
1200 |
2400 |
3.5 |
0.8 |
1.1 |
0.016 |
4000 |
Рис.3.12.6 |
МТКИ-1800-17 |
1700 |
1800 |
3600 |
3.5 |
0.8 |
0.9 |
0.011 |
4000 |
Рис 3 .12. в J |
МТКИ-800-33 МТКИ-1200-33 |
3300 | 3300 |
800 1200 |
1600 2400 |
3.5 3.5 |
1.1 1.1 |
3.4 3.4 |
0,014 0.0095 1 |
6000 6000 1 |
Рис. 3.12. Л Рис. 3.12. б J |
3.3. Мощные биполярные транзисторы с изолированным затвором
Рис. 3.12. Электрические схемы IGBT модулей ~ одиночных ключей к шобл. 3.7
3.3.4. IGBT МОДУЛИ-ПОЛУМОСТЫ Особенности IGBT модулей
Особенностями IGBT модулей являются:
- МОП-управление;
- очень низкий остаточный ток с низкой температурной зависимостью;
- высокая стойкость к токам короткого замыкания;
- прямоугольная область безопасной работы;
- встроенный инверсный быстровосстанавливающийся диод с «мягкими» характеристиками обратного восстановления;
- низкая внутренняя индуктивность модулей;
- внутренняя изоляция обеспечивается DCB-керамикой из окиси или нитрида алюминия.
|
|