Полупроводниковые приборы
Модули трехфазного моста на IGBT
Условные обозначения в табл. 3.47: пиковое выходное напД жение (в закрытом состоянии); пороговое напряжение; выходное напряжение в открытом состоянии; — максимальный выхоной ток (сре днеквадратическое значение); заряд затвора. Принципиальная схема показана на ряс. 338.
Принципиальная схема модуля трехфазного моста на IGBT
Таблица 3.471
Тип модули |
|
|
|
|
|
Тип корпуса j |
Паспортные I данные |
I 6H65GO-tO-6 I |
2.5 |
3-6 |
600 |
10 |
60 |
Д52 |
Д52 |
I 6n65GO-10-12 |
3 |
3-е |
1200 |
10 |
140 |
Д52 |
Д52 |
I 6H65GO-20-6 |
2.5 |
3-6 |
600 |
20 |
150 |
Д52 1 |
|
I 6H65G0-20-12 |
3 |
3-6 |
1200 |
20 |
300 |
Д52 |
|
I 6n65GD-40-12 |
3 |
3-6 |
I 1200 |
40 |
650 |
Д52 |
|
| 6n65GO-6Q-6 |
I 2.5 |
|
600 |
60 |
650 |
Д52 |
Д52 __ |
|
3.8. ТИРИСТОРЫ И СИМИСТОРЫ
3.8.1. ТИРИСТОРЫ НИЗКОЧАСТОТНЫЕ
Характеристики модулей трехфазного моста на /G8T |
Обозначения в табл. 3.48:, — максимальное обратное напряжений 1обр — максимально допустимый обратный ток; 1Н — максимальный прямой постоянный ток; 1ампл — амплитудное значение тока; R — прямое сопрО' тивление в открытом состоянии; lynp — ток управления; R^ — тепловое сопротивление. |