ГЛАВНАЯ

БИЛЕТЫ

ПРОИЗВОДСТВЕННАЯ
СИСТЕМА

БЕРЕЖЛИВОЕ
ПРОИЗВОДСТВО

ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЕ
МАТЕРИАЛЫ

СИЛОВЫЕ КАБЕЛИ

СИЛОВЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ

* производители
* параметры
* с изолированным затвором
* принцип действия
* модули БТИЗ
* силовые диоды
* силовые модули
* импульсные источники
* быстродействующие диоды
* транзисторы с изолированным затвором
* биполярные транзисторы
* транзисторы
* применение
* модули
* полумосты
* импортные диоды
* силовые диоды
* диоды
* силовые модули
* источники напряжения
* мощные лампы
* транзисторы Дарлингтона
* трехфазный мост
* электропроводка
* открытая прокладка
* изгиб проводов
* алюминиевые провода
* опрессовка
* соединение проводов
* зачистка жил
* монтаж электросети
* эксплуатация электросети
* различия
* что делать если погас свет в квартире
* устранение неисправностей
* диагностика
* указатели напряжения
* пробник MS-48M
* прозвонка линий
* скрытая проводка
* устройство для протягивания кабелей
* отечественные кабелеискатели
* генератор АГ-102
* трассоискатели сталкер
* повреждения силового кабеля
* поиск кабелей
* вектор магнитного поля
* кабельные линии
* кабелеискатели

ВЫКЛЮЧАТЕЛИ
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ

РУБИЛЬНИКИ И
ПУСКАТЕЛИ

РЕЛЕ

ДАТЧИКИ

ТРАНСФОРМАТОРЫ

 

Полупроводниковые приборы

 

СИЛОВЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МОДУЛИ


Обозначения в табл. 3.15: U — максимально допустимое обратное напряжение; Irfp — ток в запертом состоянии; 1пр — максимальный средний прямой ток; 1пмв — пиковое значение среднего тока; гт — сопротивление во включенном состоянии; — управляющее напряжение; 1)Т|р — ток управления; tBt, — время включения; t>M„ — время выключения; RT — тепловое сопротивление.
Параметры модулей быстровосстанавливающихся диодов                                                                                       Таблица 3.15

МД2-10

400-1200

5

10

16

 

 

, —

1.3__

МД2-16

400-1200

5

16

25

 

—'

. ——

•а

 

МД2-25

400-1200

5

25

40

а—

_

_

ь —

0.7 _

МДД4-25

200-1600

10

25

40

 

MTT-40

400-1600

15

40

63

2.4

3,5

200

wmm

160

_
0,68

MTT-63

400-1600

7

63

400

2.4

3.5

200

 

160

1 0.46_

МТТ-80

400-1200

7

80

125

2.4

3.5

200

шш. _

160 I

0.39_

МДЧДЧ-160

300—1400

20

160

250

1.6

 

 

 

 

МТВДЧ-100

500—1000

25

100

160

1.8

3.5

250

4

40

0.22,


Таблица 3.15 (Продолжение)

МТД-200 МЛТ-200

400—1600 400—1600

о и
30

<6VV 200

JI4
314

0,95

3.5

••WW 200

 

1 WW 160

U, IJ
,0.13

ITvM •
МТТ-250

400—1600

40
Oft

250

390
OQO

0.53 О 13

3.S 3 5

200 200

250 250

0.12 0 19

МТД-250 МДТ-250

400—1600
400—1600

ou
30

CJU
250

390

0.53

3.5

200

250

0.12

МЛЛ-125

400—1600

40

125

195

0.65^

_ —

 

0.19

МДД-160

400-1600

40

160

250

0.55

— -

— |

0.18

"V У ^
МЛЛ-200

400—1600

50

200

314

0.6

 

0.13

МДД-250

400—1600

50

250

390 •

0.56

Г

 

.. —

0.12

3.5. ИСТОЧНИКИ ОПОРНОГО НАПРЯЖЕНИЯ
3.5.1. СТАБИЛИЗАТОРЫ НАПРЯЖЕНИЯ
Традиционным элементом стабилизаторов напряжения является стабилитрон. Но у него есть ряд недостатков, которые не позволяют использовать его в качестве точного источника опорного напряжения. Поэтому были разработаны интегральные источники опорного напряжения (ИОН), обладающие повышенной точностью и термостабильностью. В табл. 3.16 неперестраиваемые ИОН различных фирм расположены по мере нарастания выходного напряжения, а в пределах одного напряжения — по нарастанию процента точности. Обозначения в табл. 3.16: UBhlx — выходное напряжение ИОН; dU — точность его установки; dC — температурный коэффициент (в 10 6/°С); ФИ — фирма-изготовитель (AD — «Analog Devices», LT — «Lin­ear Technology», Tl — «Texas Instruments», MAX — «Dallas Semiconductor- Maxim», NS — «National Semiconductor», ST — «STMicrdelectronics» ).