Сравнительные характеристики высокоскоростных IGBT транзисторов                                                          Таблица 3.2 IGBT одинарный KGH16N170AH1 1700 16 » 4,00 1.1 0.65 KGT16N170AH1 1700 16 11 4.00 1.1 0.65 (XGR16N170AH1 1700 16 8 4.20 1.1 1.10 KGH32N170AH1 1700 32 24 4.00 3.0 0.35 (XGT32N170AH1 1700 32 24 4.00 3.0 0.35 DCGX32N170AH1 1700 32 24 4.20 3.0 0.35 IXGR32N170AH1 1700 32 17 4,20 3.0 0.65 FH24N17AH1 1700 24 11.5 4,20 1.7 0.95 FH24N17AH1S 1700 24 11.5 4.20 1.7 0.95

С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ
3.3.1. ТРАНЗИСТОРЫ ФИРМЫ «INTERNATIONAL RECTIFIER.
Транзисторы IGBT (Isolated Gate Bipolar Transistor) — биполярные транзисторы с изолированным затвором (БТИЗ) — имеют структуру, практически идентичную структуре мощного МОП-транзистора, за исключением' подложки Р+. Однако, несмотря на большое сходство, физическая работа БТИЗ более близка работе биполярного транзистора (БТ). Это происхо­дит за счет подложки Р+, которая необходима для инжекции неосновных носителей в область N-. Как показано на эквивалентной схеме (рис. 3.9), БТИЗ состоит из р-п-р-транзистора, управляемого N-канальным МОП- транзистором в схеме Дарлингтона.

На рис. 3.10 приведена для примера электрическая схема БТИЗ в упа­ковке IMS-2. Сравнительные характеристики мощных МОП-транзисторов, БТИЗ и мощных биполярных транзисторов (БТ) приведены в табл. 3.4.

Характеристики	МОП	БТИЗ	БТ
Тип управления	Напряжение	Напряжение	Ток
Мощность управления	Минимальная	^Минимальная	Большая
Сложность управления	Простая	Простая	Большая. требуются большие положительные и отрицательные токи
Плотность тока	Высокая при низком напряжении, низкая при высоком напряжении	Очень высокая	Средняя, уменьшается со скоростью переключения
Потери переключения	Очень малые _	От малых до средних в зависимости от потерь проводимости	От средних до высоких в зависимости от - потерь проводимости