СИЛОВЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ
* производители
* параметры
* с изолированным затвором
* принцип действия
* модули БТИЗ
* силовые диоды
* силовые модули
* импульсные источники
* быстродействующие диоды
* транзисторы с изолированным затвором
* биполярные транзисторы
* транзисторы
* применение
* модули
* полумосты
* импортные диоды
* силовые диоды
* диоды
* силовые модули
* источники напряжения
* мощные лампы
* транзисторы Дарлингтона
* трехфазный мост
* электропроводка
* открытая прокладка
* изгиб проводов
* алюминиевые провода
* опрессовка
* соединение проводов
* зачистка жил
* монтаж электросети
* эксплуатация электросети
* различия
* что делать если погас свет в квартире
* устранение неисправностей
* диагностика
* указатели напряжения
* пробник MS-48M
* прозвонка линий
* скрытая проводка
* устройство для протягивания кабелей
* отечественные кабелеискатели
* генератор АГ-102
* трассоискатели сталкер
* повреждения силового кабеля
* поиск кабелей
* вектор магнитного поля
* кабельные линии
* кабелеискатели
Полупроводниковые приборы
Импульсные источники
Принципиальная импульсные источники электропитания в телекоммуникационном оборудовании, драйверы электродвигателей, аудиоусилители и др.
Изделия производятся в различных стандартных неизолированных (PLUS220™, ТО-247, ТО-268, ТО-264) и изолированных (ISOPLUS220™, ISOPLUS247™, SOT-227) корпусах. PolarHT™ HiPerFET~ транзисторы будут рассчитаны на токи от 52 до 200 А. Кроме того, корпорация IXYS сейчас ведет разработку еще одной серии PolarHV™, которая будет рассчитана на более высокие напряжения (более 300 В).
|
Характеристики PolarHT1" HiPerFET™ силовых MOSFET транзисторов IXYS приведены в табл. 3.1. Сокращения в таблице: V^ — обратное напряжение «сток—исток»; ID(Tj = 25 °С) — коллекторный ток; RDS(oa) (при Мах Tj = 25 °С) — сопротивление включенного канала «сток—исток»; Qg — заряд затвора; R (J.C) (Tj = 25 °С) — тепловое сопротивление между выводами и корпусом.
|
Таблица 3.1 (продолжение)
|