ГЛАВНАЯ

БИЛЕТЫ

ПРОИЗВОДСТВЕННАЯ
СИСТЕМА

БЕРЕЖЛИВОЕ
ПРОИЗВОДСТВО

ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЕ
МАТЕРИАЛЫ

СИЛОВЫЕ КАБЕЛИ

СИЛОВЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ

* производители
* параметры
* с изолированным затвором
* принцип действия
* модули БТИЗ
* силовые диоды
* силовые модули
* импульсные источники
* быстродействующие диоды
* транзисторы с изолированным затвором
* биполярные транзисторы
* транзисторы
* применение
* модули
* полумосты
* импортные диоды
* силовые диоды
* диоды
* силовые модули
* источники напряжения
* мощные лампы
* транзисторы Дарлингтона
* трехфазный мост
* электропроводка
* открытая прокладка
* изгиб проводов
* алюминиевые провода
* опрессовка
* соединение проводов
* зачистка жил
* монтаж электросети
* эксплуатация электросети
* различия
* что делать если погас свет в квартире
* устранение неисправностей
* диагностика
* указатели напряжения
* пробник MS-48M
* прозвонка линий
* скрытая проводка
* устройство для протягивания кабелей
* отечественные кабелеискатели
* генератор АГ-102
* трассоискатели сталкер
* повреждения силового кабеля
* поиск кабелей
* вектор магнитного поля
* кабельные линии
* кабелеискатели

ВЫКЛЮЧАТЕЛИ
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ

РУБИЛЬНИКИ И
ПУСКАТЕЛИ

РЕЛЕ

ДАТЧИКИ

ТРАНСФОРМАТОРЫ

 

Полупроводниковые приборы

 

Биполярные транзисторы

 

Обозначения в таблице: F — типовая частота переключения; BV — пробивное напряжение «коллектор эмитгер»; Ve — напряжение насыщения «коллектор эмкпер» ; 1с (25) — максимальный ток коллектора при температуре 25 вС; i (100) — максимальный ток коллектора при температуре 100 °С; PD — максимальная мощность при температуре 25 "



БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ ФИРМЫ «TOSHIBA»
В приведенной ниже табл. 3.6 даны следующие параметры: Vc — макси­мальное напряжение «коллектор-эмиттер»; 1с — максимальный коллектор­ный ток; Vs — падение напряжения на открытом транзисторе; Т^ — врем; включения; Хл — время выключения; Схема— номер рисунка (рис. 3.11).


Рис. 3.11. Варианты схем БТИЗ фирмы « TOSHIBA»
Параметры БТИЗ фирмы -TOSHIBA                              


Тип

V..B

 

V..B

Т^, мкс

Т^пМКС

Схема

MG200Q1US51

1200

200

3.6

0.2

0.6

Рис. 3-11.

MG30001US51

1200

300

Э.6

0.2

0.6

Рис 3.11.а_

MG40001US51

1200

400

3.6

0.2

0.6

Рис. 3.11.

MG60001US51

1200

600

3.6

0.2

0.6

Рис. 3.11. а|

MG50Q2YS50

1200

50

3.6

0.2 | 0.6

Рис. 3 11.6 J


Таблица 3.6 (продолжение)


Тип

V..B

1е, А

V..B

Т.,, мкс

Тин мкс

—1
Схема

MG30J6ES50

600

30

2.7

0.8

1.0

Рис. 3.11. g J

MG50J6ES50

600

50

2.7

0.8

1.0

Рис. 3.11. в1

MG75J6ES50

600

75

2.7

0.8

1.0

Рис. 3.11,в1

MG100J7KS50

600

100

2.7

0.8

1.0

Рис. 3.11. г"4

MG150J7KS50

600

150

2.7 1 0.8 | 1.0

Рис. 3.11. г