ГЛАВНАЯ

БИЛЕТЫ

ПРОИЗВОДСТВЕННАЯ
СИСТЕМА

БЕРЕЖЛИВОЕ
ПРОИЗВОДСТВО

ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЕ
МАТЕРИАЛЫ

СИЛОВЫЕ КАБЕЛИ

СИЛОВЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ

* производители
* параметры
* с изолированным затвором
* принцип действия
* модули БТИЗ
* силовые диоды
* силовые модули
* импульсные источники
* быстродействующие диоды
* транзисторы с изолированным затвором
* биполярные транзисторы
* транзисторы
* применение
* модули
* полумосты
* импортные диоды
* силовые диоды
* диоды
* силовые модули
* источники напряжения
* мощные лампы
* транзисторы Дарлингтона
* трехфазный мост
* электропроводка
* открытая прокладка
* изгиб проводов
* алюминиевые провода
* опрессовка
* соединение проводов
* зачистка жил
* монтаж электросети
* эксплуатация электросети
* различия
* что делать если погас свет в квартире
* устранение неисправностей
* диагностика
* указатели напряжения
* пробник MS-48M
* прозвонка линий
* скрытая проводка
* устройство для протягивания кабелей
* отечественные кабелеискатели
* генератор АГ-102
* трассоискатели сталкер
* повреждения силового кабеля
* поиск кабелей
* вектор магнитного поля
* кабельные линии
* кабелеискатели

ВЫКЛЮЧАТЕЛИ
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ

РУБИЛЬНИКИ И
ПУСКАТЕЛИ

РЕЛЕ

ДАТЧИКИ

ТРАНСФОРМАТОРЫ

 

Полупроводниковые приборы

 

Параметры

 

Эквивалентная цепь MOSFET показана на рис. 3 J. Дв'а емкостных сопротивления между затвором и истоком, затвором и стоком приводят к задержке переключения, если драйвер не может поддерживать большой ток включения. Еще одно емкостное сопротивление транзистора находится между стоком и истоком, но из-за внутренней структуры транзистора шунтируется паразитным диодом, образованным между стоком и истоком. К сожалению, паразитный диод не быстродействующий и его не следует принимать во внимание, а для ускорения переключения вводится дополнительный шунтирующий диод.


Затвор

Рис. 3.3. Схема замещения MOSFET: а — первый вариант эквивалентной схемы; б—второй вариант эквивалентной схемы
с замещением транзистора диодом; — внутренняя структура, соответствующая первому варианту


Параметры MOSFET
Рассмотрим основные параметры, характеризуюоЫ MOSFET транзисторы.
Максимальное напряжение «сток—исток», UDS — максимальное мгно­венное рабочее напряжение.
Продолжительный ток стока, 1„ — максимальный ток, который может проводить MOSFET, обусловленный температурой перехода.
Максимальный импульсный ток стока, IDM — больше, чем ID и определен для импульса заданной длительности и рабочего цикла.
Максимальное напряжение «затвор—исток» age), Ucs — максимальное напряжение, которое может быть приложено между затвором и истоком без повреждения изоляции затвора.
Кроме того, имеют место:

  1. пороговое напряжение затвора, UT {UTH, UGS};


Рис. 3.4. Один из вариантов структуры БТИЗ

  1. UT — минимальное напряжение затвора, при котором транзистор включается.

 

 

 

 

В отличие от Аф­рики все климатические пояса, кроме субэкваториального, сме­няют друг друга только при движении к югу от экватора. В целом климат Южной Америки разнообразнее климата Аф­рики. Средние месячные температуры на большей части мате­рика составляют от + 20 до + 28 °С. Однако иногда с юга на материк вторгаются волны холодного воздуха, а на равнинах Патагонии морозы достигают 35 °С. Большие различия наблю­даются в условиях увлажнения. Осадки на материке распре­деляются неравномерно (см. климатическую карту атласа). Большая часть Южной Америки лежит в тех же клима­тических поясах, что и Африка. Поэтому по климатической карте атласа и учебника вы можете самостоятельно составить описание климата сходных поясов.
1. По картам атласа опишите климат экваториального пояса, сравните с данными такого же пояса в Африке; сделайте вывод о сходстве и различиях, назовите причины. 2. В климате каких частей материка хорошо выражены два сезона - влажный с обильными ливнями и сухой, когда в течение нескольких месяцев может не выпасть ни капли влаги? Как называется такой климат? Почему в этом поясе происходит смена сезонов? Когда вы­падают осадки на Гвианском плоскогорье? На Бразильском? Почему? Южная часть материка расположена в умеренном климати­ческом поясе. Климат здесь особенно контрастен. На западном побережье он морской, умеренный. Зима сравнительно теплая, с температурами +4,-4-6 °С, с пасмурной, ветре­ной погодой, а лето влажное, прохладное, с часты­ми дождями при температуре воздуха +8» + 10 °С. Осадков выпадает более 2000 мм в год. В восточ­ной части пояса климат континентальный умерен­ный с прохладной малоснежной зимой и сухим теплым летом. Однако даже летом здесь случают­ся снежные метели - сказывается дыхание близ­кой Антарктики. Высокогорный климат Анд отличается разнообра­зием. Главная его особенность - изменение при подъеме от подножий к вершинам и при продви­жении с севера на юг. У экватора в нижнем поясе Анд климат на восточных и западных склонах экваториальный, а на вершинах лежат снега и лед­ники. Особенно суров климат в тропическом поясе на центральных плоскогорьях Анд, где воздух исклю­чительно чистый и сухой. Осадки здесь выпадают в основном в виде снега даже летом, но их очень мало. Эти высокогорья самые сухие и бесплодные в мире. Разреженный воздух, обжигающие лучи солнца, ураганные ветры - характерные признаки погоды, которая резко и не один раз меняется здесь в течение суток. Человек с трудом переносит такой высокогорный климат. В целом климат Южной Америки, для которого характерно обилие тепла и влаги на большей части территории, создает благоприятные условия для круглогодичной вегетации растений. На мате­рике можно возделывать все тропические культу­ры, собирать несколько урожаев в год. Однако неред­ко здесь случаются стихийные бедствия: после затяжных дождей выходят из берегов реки, затоп­ляя поля, селения и дороги. В центре материка не­редки засухи, а иногда наступают неожиданные холода.