ГЛАВНАЯ

БИЛЕТЫ

ПРОИЗВОДСТВЕННАЯ
СИСТЕМА

БЕРЕЖЛИВОЕ
ПРОИЗВОДСТВО

ЭЛЕКТРОТЕХНИЧЕСКИЕ
МАТЕРИАЛЫ

СИЛОВЫЕ КАБЕЛИ

СИЛОВЫЕ
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ПРИБОРЫ

* производители
* параметры
* с изолированным затвором
* принцип действия
* модули БТИЗ
* силовые диоды
* силовые модули
* импульсные источники
* быстродействующие диоды
* транзисторы с изолированным затвором
* биполярные транзисторы
* транзисторы
* применение
* модули
* полумосты
* импортные диоды
* силовые диоды
* диоды
* силовые модули
* источники напряжения
* мощные лампы
* транзисторы Дарлингтона
* трехфазный мост
* электропроводка
* открытая прокладка
* изгиб проводов
* алюминиевые провода
* опрессовка
* соединение проводов
* зачистка жил
* монтаж электросети
* эксплуатация электросети
* различия
* что делать если погас свет в квартире
* устранение неисправностей
* диагностика
* указатели напряжения
* пробник MS-48M
* прозвонка линий
* скрытая проводка
* устройство для протягивания кабелей
* отечественные кабелеискатели
* генератор АГ-102
* трассоискатели сталкер
* повреждения силового кабеля
* поиск кабелей
* вектор магнитного поля
* кабельные линии
* кабелеискатели

ВЫКЛЮЧАТЕЛИ
ПЕРЕКЛЮЧАТЕЛИ

РУБИЛЬНИКИ И
ПУСКАТЕЛИ

РЕЛЕ

ДАТЧИКИ

ТРАНСФОРМАТОРЫ

 

Полупроводниковые приборы

 

СИЛОВЫЕ ДИОДЫ



Диоды — это не только единичные компоненты, они могут быть использованы в модулях. Часто диоды являются составной частью транзисторных модулей. Виды типовых диодных модулей показаны на рис. 3.7.
Диоды общего назначения (general purpose diodes) обладают такими осо­бенностями:

  1. имеют относительно большое время восстановления (25 не);
  2. используются в низкочастотных устройствах (1 кГц);
  3. имеют высокий уровень тока (1—10000 А);
  4. имеют высокий уровень напряжения (50—5000 В);
  5. обычно изготавливаются с использованием диффузионного процесса.

Быстродействующие диоды обладают такими особенностями:

  1. имеют малое (low) время восстановления (менее 5 не);
  2. используются и в импульсных источниках питания, и в инверторных схемах;


а                        б                                    в                                   Г
Рис. 3.7. Типовые диодные модули: а — двойной модуль; б—диодный мост; в — трехфазный мост; г — двойной диодно-транзисторный модуль

  1. имеют достаточно высокий уровень тока (1—3000 А);
  2. имеют достаточно высокий уровень напряжения (50—2000 В);
  3. для уровня напряжения около 400 В для изготовления этих диодовиЗ пользуют эпитаксиальную подложку для более быстрого переключе| ния, со временем восстановления 50 не.

Диоды Шогтки обладают такими особенностями:

  1. барьерный потенциал, создаваемый в кремний-металлическом переходе анода, устраняет проблему накопления заряда металлический слой осажден на тонком эпитаксиальном N слое;
  2. неосновные носители отсутствуют, поэтому время рекомбинации равно нулю, а процесс переключения зависит только от основных но­сителей;
  3. на время восстановления оказывает влияние емкостное сопротивление кремний-металлического перехода;
  4. имеют относительно низкое прямое падение напряжения, обусловленное уровнем концентрации примесей, из этого следует барьерный по­тенциал (0,2—0,9 В);
  5. больший ток утечки (до 100 мА);
  6. низкий уровень тока (1—300 А);
  7. низкий уровень напряжения (<100 В).

Силовые диоды Зенера (полупроводниковые стабилитроны) обладают
такими особенностями:

  1. сильно легированы и созданы для работы в области лавинного пробоя;
  2. длительная мощность имеет средний показатель (250 мВт — 75 Вт);
  3. могут использоваться для подавления помех как ограничитель, при этом поглощает в импульсе до 50 кВт.